CS5250E兼容CS5230E设计电路图

发布时间:2020-5-9 11:28    发布者:soundbaraudio
关键词: CS5250 , CS5250E , CS5260 , CS5260E , CS5230
CS5250E是一款采用CMOS工艺,电容式升压型GF类单声道音频功放,可以为4Ω的负载提供最高5.3W的连续功率;CS5250E芯片内部固定的28倍增益,
提供样品 测试板 设计指南 151 1247 6010 莫先生,qq 238 396 0712 。
有效的减少了外围元器件 的数量;功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在有FM的情况下,消除功放对系统的干扰;CS5250E具有独特的防破音(NCN)功 能,可根据输出信号的大小自动调整功放的增益,实现更加舒适的听觉感受. CS5250E的外围只有低成本的阻容器件,在以锂电池供电的移动式音频设备中,CS5250E是理想的音频子系统的功放解决方案.CS5250E的全差分架构和极高的PSRR有效地提高了CS5250ERF噪声的抑制能力。另外CS5250E内置了过流保护和过热保护,有效的保护芯片在 异常的工作条件下不被损坏。
CS5250E提供了ESOP10的封装类型,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。
特征
集成Charge Pump升压模块,集成ABD类两种工作模式GF类音频功放,
输出功率
Po at  VBAT = 5.0V,  RL=4Ω,Cout=470uF
THD+N=10%   5.3W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1%  4.3W(NCN OFF@D MODE)
Po at  VBAT = 3.4V,  RL=4Ω+33uH,Cout=470uF
THD+N=10%   3.4W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1%  3.0W(NCN OFF@D MODE)
Po at  VBAT = 5.0V,  RL=4Ω,Cout=100uF
THD+N=10%   4.9W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1%  3.9W(NCN OFF@D MODE)
Po at  VBAT = 3.6V,  RL=4Ω+33uH,Cout=100uF
THD+N=10%   3.1W(NCN OFF@D MODE)
THD+N=1%  2.7W(NCN OFF@D MODE)
输入电压范围:2.7~5.5V
关断电流: <1μA
待机电流: 20mA@5V
D类调制频率: 350KHz
防破音模式开关
AERC专利技术,提供优异的全带宽EMI抑制能力
优异的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力
高的电源抑制比(PSRR):在217Hz下为-80dB
过温保护
过压保护
应用
蓝牙音箱、便携式音频设备
管脚排列以及定义
CS83785E_CS83711E_智浦欣15112476010莫先生技术布线样品支持DEMO_V2.0_K02.pcb (749.13 KB) CS8618_ch_v1.2智浦欣qq2383960712莫先生.pdf (4.09 MB)

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