国产SRAM芯片XM8A51216随机X型存储器

发布时间:2020-4-30 15:48    发布者:英尚微电子
关键词: 国产SRAM芯片 , XM8A51216 , 随机X型存储器 , 国产SRAM



XM8A51216采用异步SRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术,在大容量、高性能和高可靠及品质方面完全可以匹敌同类SRAM,具有较低功耗和低成本优势,可以与市面上同类型SRAM产品硬件完全兼容,并且满足各种应用系统对高性能和低成本的要求,XM8A51216也可以当做异步SRAM使用,称为新型国产SRAM芯片也不为过,

XM8A51216是基于TLC DRAM(三态 DRAM)和RFDRAM(免刷新DRAM)专利技术而成的新型存储器。与传统的DRAM和SRAM不同,

XM8A51216具有以下几个技术特点:
1、数据读取速率快于DRAM产品10倍,延时10ns左右;
2、容量覆盖Megabit到Gigabit;
3、可以节省40%左右的存储阵列功耗;
4、从用户端不需要考虑刷新机制,可以随时访问。



规格书下载

XM8A51216V33(8M).pdf (719.73 KB)


XM8A51216封装图




型号表

Density
PartNumber
BW bit
Vdd
Speed
Package
64Mb
XM8A04M16V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
64Mb
XM8A08M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
32Mb
XM8A02M16V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/BGA(48)
32Mb
XM8A04M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb
XM8A01M16V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb
XM8A02M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48)
8Mb
XM8A51216V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/TSOP1(48)
8Mb
XM8A01M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/TSOP1(48)
4Mb
XM8A25616V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/BGA(48)
4Mb
XM8A51208V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/BGA(48)



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英尚微电子 发表于 2020-4-30 15:51:05
规格书下载

XM8A51216.pdf (719.73 KB)
英尚微电子 发表于 6 天前
XM8A51216采用异步SRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术,在大容量、高性能和高可靠及品质方面完全可以匹敌同类SRAM,具有较低功耗和低成本优势,可以与市面上同类型SRAM产品硬件完全兼容
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