集成外部SiC二极管可提供更高能效

发布时间:2019年09月12日 13:09    发布者:heshuhan
  专家介绍,AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术,提供低导通损耗和开关损耗,用于多方面的电源应用,包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用,如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。下面一起来阅读本文,了解具体的知识。
  该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管共同封装,从而在硅基方案的较低性能和完全基于SiC方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650V,能够处理高达100A@25C(50A@100C)的连续电流,以及高达200A的脉冲电流。
  对于需要更大电流能力的系统,正温度系数令并行工作更简便。现代电动汽车的应用不仅利用能源行驶,在某些情况下还储存能量,以便在高峰时期为家庭供电。这需要一个双向充电器,必须有高的开关效率,以确保转换时不浪费能量。
  在这种情况下,集成外部SiC二极管的IGBT比MOSFET方案提供更高能效,因为没有相关的正向或反向恢复损耗。
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